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更新時間：2025-02-18
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MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀
MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜，原理是由惰性工藝氣體產生輝光放電現象生成帶電離子，帶電離子經過電場加速后轟擊固體靶材表面，使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來，同時產生二次電子，再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子，從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運動，碰撞到襯底基片上并被基片吸附，最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。
| 功能特點 |
|---|
設備設計緊湊，可與手套箱對接；
極限真空度優于5E-5Pa（干燥環境），濺射尺寸兼容多種規格，最大為100*100mm，并支持基片旋轉速度0～30rpm連續可調；
采用不銹鋼真空室，內部電拋光處理，配備觀察窗、靶槍及擋板轉軸等；
真空系統采用“分子泵+機械泵"組合，具有高效的抽速和完善的真空測量系統；
氣體控制方面，具備3路進氣并可通過流量計精確控制；
配有3個共焦向上濺射的圓形靶槍, 可以支持低氣壓濺射以減小二次電子損傷；
設備提供旋轉加熱工件臺，可調節轉速、加熱溫度以及與靶之間的距離
| 技術參數 | ||
|---|---|---|
| 電源 | 三相五線制AC380V±10%，頻率：50Hz，總功率約6KW | |
| 氣源 | 壓縮空氣：干燥、干凈、無水、無油的壓縮空氣，8mm塑料氣管，壓力5.5～6公斤（0.55-0.6Mpa） 普通氮氣：干燥氮氣，用于設備腔室破真空，8mm塑料氣管，壓力1-2公斤（0.1-0.2Mpa） 工藝氣體：高純，99.999%，共兩路工藝氣體，6mm不銹鋼管，其中一路為高純氬氣，壓力1～2公斤（0.1-0.2Mpa），另外兩路工藝氣體按工藝需求準備 | |
| 水源 | 流量15-20升/分鐘水溫15～25℃， 進水和出水壓差1～2公斤，進水壓力2～3公斤， 設備的進水和出水口外徑12mm （建議在設備的進水口前安裝一個球閥，方便調節水壓和水流量） | |
| 真空室 | 304不銹鋼真空室，內部電拋光 前后開門，門上有1個80mm觀察窗，帶擋板，防輻射 底部安裝3個靶槍及擋板轉軸 側壁及底部有備用法蘭接口以備將來使用 可拆卸不銹鋼內襯，手擰拆卸方便清理 | |
| 真空系統 | 組成 | 分子泵+機械泵組合式真空系統，氣動閥門 分子泵：中科科儀分子泵FF200/1300，抽速：1300L/s 機械泵：鮑斯BSV-30機械泵，抽速：9L/s 真空閥門：型號：DN40mm 擋板閥2套；主閥DN200 1套，可調限流閥1套，進口薄膜真空計1套，量程0.0001torr-0.1torr，自動調壓 真空密封：可拆靜密封采用氟橡膠圈密封，不常拆靜密封采用無氧銅密封 |
| 真空極限 | 真空極限優于5×10－5Pa（干燥環境） | |
| 抽速 | 抽氣時間：大氣壓～工作真空（5*10-4Pa），約20min（對接手套箱氮氣環境） | |
| 真空計 | 1個兩低一高2個真空計，測量范圍：大氣到1E-5Pa | |
| 氣體控制 | 3路進氣，采用Horiba Metron（中日合資）流量計控制進氣，流量計最大流量分別為200/100/50sccm，兩路氣體經過流量計后混合，混合后導入真空室靶面 | |
| 濺射靶槍 | 3個2英寸圓形靶槍，共焦向上濺射 靶槍和工件距離80-120mm，可調節 每個靶槍帶一個獨立的電控氣動擋板 可實現低氣壓濺射，減小二次電子損傷樣品基底 | |
| 濺射電源 | 1臺G-POWER功率500W自動匹配射頻電源： 最大輸出功率500W，頻率13.56MHz，輸出采用功率控制模式，自動匹配，匹配時間短，反射功率小于3W； 1臺北京持動力直流濺射電源： 最大輸出功率500W，輸出可切換采用功率控制模式，恒流模式，恒壓模式，電源帶完善的異常打火，短路等保護功能耐用易用 | |
| 旋轉加熱工件臺 | 最大可放置襯底基片樣品尺寸：100mm*100mm，兼容3英寸、2英寸、φ45mm、φ30mm，以及小尺寸方形片（對角線長度小于45mm） 基片轉速0-30rpm連續可調，旋轉軸水冷保護 轉軸磁流體密封 樣品臺加熱溫度：最高溫度500℃，控溫誤差±1℃ 樣品臺和靶之間距離采用焊接波紋管密封電動可調，帶刻度顯示 成膜質量：樣品范圍內均勻性優于±5% | |
| 控制系統 | 西門子PLC+西門子觸摸屏手自動控制系統 控制內容：機械泵，分子泵，氣動、電磁閥門、流量計等等；自動抽真空，自動排氣等 完整的互鎖保護（硬件、軟件互鎖） | |
| 真空室尺寸 | 約W400*D400*H450mm | |
| 外形尺寸 | 約W780*D930*H1820mm | |
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